近日舉辦的三星代工論壇2021大會上，三星披露了最新工藝進展和路線圖。FinFET晶體管結構的潛力幾乎已被挖掘。三星下一步就是用GAA環繞柵極，其中 3nm工藝有兩個版本，3GAE(低功耗版)將于2022年初量產。3GAP(高性能版)將于2023年初量產。

與5nm相比，三星新的3nm GAA可減少面積35%，同等功耗下性能提升30%，同等性能下功耗降低50%。

同時，三星首次披露2nm：2025年量產2nm工藝并未出現在公開路線圖上，但三星代工市場戰略高級副總裁MoonSoo Kang透露2GAP工藝將于2025年量產。這是三星首次公開其2nm工藝計劃，但三星也警告稱，新工藝的進展將取決于客戶的規劃和部署。