上周有報(bào)道稱，三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術(shù)長(zhǎng)Jeong Eun-seung在一場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇中透露，三星能夠搶在主要競(jìng)爭(zhēng)者臺(tái)積電之前，宣布GAA技術(shù)商業(yè)化。

當(dāng)時(shí)他曾放下狠話稱：“我們開發(fā)中的GAA技術(shù)，領(lǐng)先主要競(jìng)爭(zhēng)者臺(tái)積電。一旦鞏固這項(xiàng)技術(shù)，我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長(zhǎng)。”

但是根據(jù)最新報(bào)道，有業(yè)內(nèi)人士表示三星目前的3nm GAA工藝依然面臨著漏電等關(guān)鍵技術(shù)問題，且在性能和成本方面可能也存在一些問題，或許將依然不敵臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

據(jù)此前消息，GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管)，該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

根據(jù)三星的說法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

不過，上述人士透露，三星可能最早于2022年將其3nm GAA工藝量產(chǎn)，但由于成本高和性能不理想，可能無法吸引到臺(tái)積電3nm FinFET工藝所獲得的客戶，同時(shí)他還稱臺(tái)積電目前已經(jīng)提前拿到了蘋果和英特爾的訂單。